- 漳州鼎晟达自动化设备有限公司
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经营模式：其他
所在地区：福建省 漳州
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- IC产品 | 元器件产品
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- 产品信息
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- 名称：原装进口207-352
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：3 igbt模块的并联 igbt模块的并联运行解决方案如下： （1）一台三相逆变器用于整个功率的提供; 相脚（the phase teg）是由许多并联的igbt模块和一个强大的驱动器组成。每个igbt模块必须有自己的栅极电阻和对称直流环节和交流输出连接［1］。 （2）三相igbt stack，基本单元的硬并联。 整个系统是通过一台控制器及其pwm信号控制的。
- 更新：2018-11-01 15:24:28
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- 名称：原装进口150CWP
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：0 引 言 半桥DC/DC变换器结构简单，控制方便，非常适用于中小功率场合。硬开关变换器高频时开关损耗很大，严重影响其效率。软开关技术可降低开关损耗和线路的EMI，提高效率和功率密度，提高开关频率从而减小变换器体积和重量。传统半桥变换器有两种控制方法，一种是对称控制，一种是不对称互补控制。本文主要分析实现半桥DC/DC变换器软开关的PWM控制策略。 1 控制型软开
- 更新：2018-11-01 15:24:05
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- 名称：原装进口12M03-00120-02
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：1 不同阻断电压的igbt之间的效率对比 igbt在电力电子中使用的非常广泛。如今，有各种电压等级的igbt——广泛用于工业应用的1200v和1700vigbt以及3.3kv、4.5kv和6.5kv的中压igbt。那么哪种电压等级最适合大功率应用呢？当上述igbt被放置在可用的最大外壳中以得到逆变器时，可找到这个问题的答案。当然，模拟在最优工作条件可得到的可用功率更简单。 将上述igbt封装在
- 更新：2018-11-01 15:23:49
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- 名称：原装进口HS6110-6/2-h125-270-MS
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：4 应用 scale-2型芯片组作为核心平台应用于新一代的igbt栅驱动器。相比于以前的芯片组，一个完整的即插即用igbt驱动器的所有组成部分的成本可以减少60%以上［3］。 图5 带有外置n型dmos驱动器级的双通道igbt驱动器核心，栅级性能为20a/4w（左图），栅极性能为5.5a/0.8w的完全集成版（右图）。 图5 带有外置n型dmos驱动器级的双通道igbt驱动器核心，
- 更新：2018-11-01 15:23:32
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- 名称：原装进口75A5D1
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：大型的集成dmos晶体管被一个根据工艺和温度变化的栅极-源极电压驱动。此外，关断输出级工作在栅极-源极电压低于5.5v的情况下时，源极导线电阻引起的电压降落同样会被补偿。只要有可能，有着减薄栅氧层的高电压输出电路都要在源极输入电压低于5.5v的条件下工作来增加单位面积的跨导，从而降低成本并减小信号的延迟。如果有可能，数字、模拟电路要配合双输出为5v的自备供电设备使用，这种设备已经完全被集成在asi
- 更新：2018-11-01 15:23:17
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- 名称：原装进口001-3808A
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：为了提高igbt的抗短路能力，一般在开启过程和导通状态下将其栅极-发射极电压限制在+15v以下。由于近来的igbt的阈值栅压已经超过3v，所以在关断过程和断开状态下把栅极-发射极电压设置为0v就足够了。这对于直接把栅驱动器集成在功率模块中的智能功率模块（ipm）来说是一种惯例。与这些小型的ipm相比，现今常规的大型igbt模块，带有36个以上的并联igbt芯片，它的栅极互连线产生的电阻以及集电极-
- 更新：2018-11-01 15:23:03
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- 名称：原装进口1569
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：设备和原材料发展齐备，掌控行业发展制高点 设备和生产工艺是决定电子元器件技术发展的核心能力，只有拥有更好的设备和原材料的支撑，元器件才能够有更高的技术突破。作为中国本土最有影响力的电子展览之一，高交会电子展汇聚了一批优秀的原材料及设备厂商，包括阿尔帕、罗普伺达、诺信、众为兴、世宗等设备厂商，以及美信、洛邦、德邦等材料厂商，为电子元器件行业提供了成熟的产业链配套服务。 伴随着不断提高的各项成本、
- 更新：2018-11-01 15:22:45
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- 名称：原装进口86IVIO
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：4.5 吸收电路 吸收电路，又称缓冲电路。它利用无源器件通过参数匹配使主开关管工作于零电压或零电流状态，达到抑制电力电子器件的关断时过电压、开通时过电流，减小器件的开关损耗的目的。吸收电路一般分为两类： （1） 吸收电路中储能元件的能量如果消耗在其吸收电阻上，称其为耗能式吸收电路; （2） 若吸收电路能够将其储能元件的能量回馈给负载或电源，称其为能量回馈型吸收电
- 更新：2018-11-01 15:22:29
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- 名称：原装进口G100HB-101
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：（3） 在开通和关断瞬间开关器件的状态运行轨迹超出反向安全工作区（rbsoa）; 反向安全工作区（rbsoa）是由最大集电极电流icm、最大集射极间电压vce和电压上升率dvce/dt三条极限边界线围成的，随igbt关断时的在加dvce/dt而改变，dvce/dt越高，rbsoa越窄，因此在开通和关断瞬间产生的高dvce/dt将会使开关器件的状态运行轨迹更容易超出rbsoa，影响开关可
- 更新：2018-11-01 15:21:52
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- 名称：原装进口52619743 313E21C2
- 类别：eof
- 市场价：
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- 说明：3 igbt应用中的常见问题分析 显然，igbt是作为逆变器的开关元件应用到各个系统中的，常用的控制方法是pwm法。理论上和事实上都已经证明，如果把pwm逆变器的开关频率提高到20khz以上，逆变器的噪声会更小，体积会更小，重量会更轻，输出电压波形会更加正弦化，可见，高频化是逆变技术发展方向［1］。但是通常的pwm逆变器中，开关器件在高电压下导通，在大电流下关断，处于强迫开关过程，在高
- 更新：2018-11-01 15:20:58
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